Infineon IRL40B215 MOSFETs 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl

Chiều cao: 15.65 mm

Cấu hình: Single

Chiều dài: 10 mm

Công nghệ: Si

Kiểu gắn: Through Hole

Chiều rộng: 4.4 mm

Thương hiệu: StrongIRFET

Chế độ kênh: Enhancement

Thời gian tăng: 110 ns

Thời gian giảm: 62 ns

Loại sản phẩm: MOSFETs

Số lượng kênh: 1 Channel

Cực tính transistor: N-Channel

Pd - Tiêu tán nguồn: 143 W

Đóng gói / Vỏ bọc: TO-220-3

Đơn vị Khối lượng: 2 g

Qg - Điện tích cực cổng: 56 nC

Id - Dòng cực máng liên tục: 164 A

Nhiệt độ làm việc tối đa: + 175 C

Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 55 C

Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 176 S

Thời gian trễ khi bật điển hình: 21 ns

Thời gian trễ khi tắt điển hình: 63 ns

Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn: - 20 V, + 20 V

Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn: 3.5 mOhms

Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn: 1 V

Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn: 40 V